浙江省纺织测试研究院

　　主要技术指标：配消反射单晶硅样品台，可用于微量样品测试；Cu靶X光管电压≤30kV、电流≤10mA(300W低功率X射线)；测角仪半径：≥150 mm；测角仪工作方式：θ/θ方式；扫描范围：-10°～160°；测角仪精度：0.0001°，准确度≤0.02°；半导体阵列探测器，子探测器个数：≥160个；具有静态扫描功能，静态扫描2θ角≥3.7度；背景：< 0.1 cps；样品台满足旋转反射测量,消除样品取向。配EVA和TOPAS分析软件

　　主要应用领域：物相定性半定量、晶粒大小、晶格类型、晶胞参数、微观应变、结晶度、织构等的测定分析,结构解析；广泛应用于金属及合金材料、半导体及超导材料、陶瓷材料、化学及涂层材料、地质矿物、聚合物及催化剂、环境材料、医药品、新材料及纳米材料等领域

　　相关标准：GB/T 6609.32-2009 -三氧化二铝含量的测定X-射线衍射法