主要技术指标:分析室本底真空度优于3.0 x 10 (-10) mb,制备室本底真空度优于6.0 x 10 (-10) mb。样品灯丝加热温度900 oC,而直接通电流加热温度可高于1200 oC。
功能/应用范围:系统包括扫描隧道显微镜(STM)、原子力显微镜(AFM)和低能电子衍射(LEED)。配备快速进样室和样品制备室,可进行样品加热处理、STM针尖原位清洁处理、金属和IV族半导体材料生长、Ar+刻蚀、表面气体吸附等。主要应用于超高真空环境下的半导体材料表面结构、表面生长动力学、半导体表面纳米结构的生长和性质等方面的研究和测试。
主要测试和研究领域:其他