主要技术指标:.真空<3 X 10-9托
功能/应用范围:现有功能:a.三个室:进样室、分析室、生长室。b.二个蒸发源、一个P型掺杂源和一路反应气体c.反射高能电子衍射仪(RHEED)d.四极质谱仪(QMS)e.俄歇电子谱仪(AES)f.由晶体振荡器控制膜的生长锗硅半导体材料生长
主要测试和研究领域:材料/珠宝首饰