主要技术指标:(1)每台真空腔的极限本底真空< 3 10-10 Torr。(2) PLD腔需带臭氧发生器;臭氧工作气压>1 10-3 Torr;臭氧纯度> 13%;臭氧导引管需安装在compact Z stage,移动范围2英寸。 (3) PLD腔带有6个1英寸靶源,靶的自转速度> 10 rpm,可用步进电动机进行靶源切换,带水冷装置,靶垂直方向移动范围2英寸。(4)样品架的Z方向移动范围为2英寸;x,y方向移动范围为0.5英寸;360o主轴转动;>±30o面内转动;兼容omicron样品托;氧气氛围下可加热> 900oC;带水冷装置。
功能/应用范围:本系统能研究低维度下复杂氧化物体系的表面和界面,以及空间束缚状态下的性质。使我们能够在微观尺度上重新审视锰氧化物金属绝缘体相变的各种现象。其中一套脉冲激光分子束外延与变温扫描隧道显微镜大型联机系统,主要做原位分析测量;另外两套将是独立的脉冲激光分子束外延生长设备,用于制备锰氧化物单晶薄膜以及锰氧化物超晶格薄膜样品,然后利用光刻技术制备纳米线,量子点等,测试其在空间束缚下的物理性质。
主要测试和研究领域:其他