硅分子束外延系统 (Silicon Molecular Beam Epitaxy System)

主要技术指标：真空<1X10-9torr　　功能/应用范围：SiliconMolecularBeamEpitaxySystem(RiberEva-32)two-chambersystemfacilitatedwithtwoe-beamsources,Band......

[复旦大学物理学系]

[上海杨浦区]

磁光测量低温恒温系统 (magneto plasmadynamic measurement low temperature

　　主要技术指标：用于磁光效应的检测，可以测量其偏振性，相干性 　　功能/应用范围：磁体，光学测量 　　主要测试和研究领域：材料/珠宝首饰其他......

[复旦大学物理学系]

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超高真空磁控溅射系统

主要技术指标：JGP450　　功能/应用范围：基片上溅射各种薄膜制作样品　　主要测试和研究领域：其他...

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脉冲激光分子束外延设备腔室及附件

主要技术指标：真空度5×10-10torr样品温度室温～1000CPLD靶数量6个　　功能/应用范围：在高气分下生长高质量的单晶薄膜　　主要测试和研究领域：其他......

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感应耦合等离子刻蚀系统

主要技术指标：样品尺寸：2,4，6英寸基片，兼容加工小片和碎片；有加热和冷却装置；下电极温度范围-150°C…+400°C；刻蚀气体8路：HBr，SF6，C4F8,CHF3，BCl3,O2,N2,Ar。......

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感应耦合等离子刻蚀系统

主要技术指标：样品尺寸：2,4，6英寸基片，兼容加工小片和碎片；有加热和冷却装置；下电极温度范围-150°C…+400°C；刻蚀气体8路：HBr，SF6，C4F8,CHF3，BCl3,O2,N2,Ar。......

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